HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该稳压二极管具备39V的反向击穿电压（VR），可在该电压下实现稳定的电压钳位功能。其正向导通电流（IF）可达2A，正向导通压降（VF）仅为0.1V，导通损耗低。在非工作状态下，反向漏电流（IR）低至0.9μA，表现出良好的阻断特性。器件的最大耗散功率（PD）为0.5W，适用于中小功率电路中的过压保护、电压基准建立及信号电平箝位等场景，适合在高稳定性电源管理模块和精密电子设备中使用。【联系：sales@hxymos.com】