BORN(伯恩半导体)Китай

BZT52B3V9

ПроизводитсяSwitching Diodes

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

IZT(mA)	5
P.D.(W)	0.5
VZ (Max.)@IZT (V)	3.98
VZ (Min.)@IZT (V)	3.82
VZ (Nom.)@IZT (V)	3.9

Документы

DatasheetDatasheet · 1.4 MB · 2026-09-23

Центр документации