Поиск аналогов электронных компонентов
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

BZV55C3V6

Single Zener DiodesMMELF

DIODE ZENER 3.6V 500MW MMELF

Поверхностный стабилитрон 500мВт, напряжение стабилизации 3.6В, корпус MMELF, герметичное стекло, соответствует RoHS.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение стабилизации3.4 ~ 3.8 VI_ZT = 5 mA,T_A = 25°C
Допуск5 %
Мощность500 mWМакс.
Дифференциальное сопротивление85 ΩМакс. · I_ZT = 5 mA,T_A = 25°C

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 19
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
Напряжение стабилизацииMin: 3.4 V, Nom: 3.6 V, Max: 3.8 V @ I_ZT = 5 mA, T_A = 25°C
Допуск± 5%
Мощность рассеивания500 mW
Динамическое сопротивлениеMax: 85 Ω @ I_ZT = 5 mA, T_A = 25°C
КорпусMMELF
Диапазон температур перехода-65 to +175 °C
Соответствие RoHSCompliant
Ток тестирования5 mA
Ток утечкиMax: 2 μA @ V_R = 1.0 V, T_A = 25°C
Прямое напряжение1 V @ I_F = 10 mA, T_A = 25°C
Максимальная температура перехода175 °C
Диапазон температур хранения-65 to +175 °C
Тепловое сопротивление переход-окружающая средаTyp: 300 °C/W
КонфигурацияSingle die
Материал корпусаHermetically sealed glass
Покрытие выводовMatte tin plated leads
Индикация полярностиIndicated by cathode band
Вес30.60 mg (approximately)
Упаковка10,000 / 13'' Tape & Reel
Все параметры (7)РазвернутьСвернуть
Условия эксплуатации и корпус
PackageMMELF
Другое
I_R @ V_R2 μA (Max)
I_ZT5 mA
P_D500 mW
T_J-65 to +175 °C
V_Z @ I_ZT3.6 V (Nom)
Z_ZT @ I_ZT85 Ω (Max)

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.