JSMSEMI(杰盛微)Китай
专为中等电压、微电流环境下的高增益放大应用设计，是各类电子设备电路的理想半导体元件。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Напряжение коллектор-эмиттер50 V
Ток коллектора150 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE4002mA
Мощность400 mWМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 150mA |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 直流电流增益(hFE) | 400@2mA,6V |
| Другое | |
| 耗散功率(Pd) | 400mW |
Документы
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 614.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации