HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管为独立式结构，额定正向电流IF为3A，最大反向电压VR为100V。其正向压降VF典型值为0.85V，有助于降低导通损耗；反向漏电流IR为100μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于开关电源、电源适配器、电池供电设备及各类高频整流场合，在保障可靠运行的同时提升能效表现。