HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式配置，具有3A的额定正向电流（IF）和100V的最大反向电压（VR）。其正向压降（VF）为0.85V，在导通状态下可有效控制功耗；反向漏电流（IR）为100μA，体现出良好的反向截止特性。器件能承受高达70A的非重复峰值正向浪涌电流（IFSM），适用于高频整流、开关电源输出级、续流保护以及对效率和热管理有明确要求的电子电路中。