HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用独立式结构，额定正向电流为5A，最大反向电压达100V，正向压降典型值为0.85V，反向漏电流仅为20μA，并具备150A的非重复峰值正向浪涌电流能力。其低导通损耗与高浪涌耐受特性，使其适用于高频整流、电源转换、极性保护及续流等电路场合，在保障系统稳定运行的同时有助于提升能效表现。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Прямое падение напряжения850 mVМакс.
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| 封装 | SMC |
| Другое | |
| IF | 5A |
| IFSM | 150A |
| IR | 20uA |
| VF | 0.85V |
| VR | 100V |
| 二极管配置 | 独立式 |