SiC SBD 功率半导体器件
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package | TO-263-2 |
| Другое | |
| IF(A) | 10 |
| IFSM (A) | 100 |
| TJ(Max.) (℃) | 175 |
| TJ(Min.) (℃) | -55 |
| VF(TJ =25℃) (V) | 1.29 |
| VR(V) | 650 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.