HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该肖特基二极管采用串联式结构，额定正向电流为0.2A，最大反向电压为30V。其典型正向压降为1V，反向漏电流仅为2μA，展现出较低的导通损耗和优异的反向截止特性。器件可承受的非重复峰值正向浪涌电流为0.6A。串联配置使两个二极管在电气上依次连接，适用于需要较高反向耐压或特定电压分配的整流、箝位及信号处理电路中。