HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
DSK110
Single Diodes此款肖特基二极管拥有1A的最大正向电流IF,峰值反向电压VR为100V,而在正向导通状态下的电压降VF仅为0.85V,展现出低功耗特性。其反向漏电流IR在室温下为200μA,瞬时正向浪涌电流IFSM可达30A,适合于高频电路中的整流与保护作用。该二极管凭借其快速的开关速度和低正向压降,广泛应用于电源转换、自由轮转以及电压箝位等电子设备中,是提升电路效率与稳定性的关键组件。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение100 V
Средний выпрямленный ток1 A
| Питание | |
|---|---|
| 反向电流(Ir) | 10mA |
| 整流电流 | 1A |
| Другое | |
| 二极管配置 | 独立式 |
| 直流反向耐压(Vr) | 100V |