Поиск аналогов электронных компонентов
G10N80F
Goford SemiconductorТайвань, Китай

G10N80F

ПроизводитсяSingle FETs, MOSFETsTO-220F

MOSFET

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Условия эксплуатации и корпус
PackageTO-220F
Другое
Ciss (pF)2185
ComplianceRoHS,Halogen Free
Crss (pF)12
ESD DiodeNO
Id (A)10
Pd (W)50
Qgd (nC)18
Qg (nC)45
Qgs (nC)14
Rds(on) mΩ(max) @Vgs=10V900
Rds(on) mΩ(typ) @Vgs=10V750
TechnologyPLANAR
TypeN
Vds (V)800
Vgs(th) max(V)5
Vgs (V)±30

Изображения

Документы