Goford SemiconductorТайвань, Китай
N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток200 V
Постоянный ток стока2 A
Сопротивление в открытом состоянии540 mΩМакс. · 1A
Пороговое напряжение3 VМакс. · 250μA
| Питание | |
|---|---|
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C | 2A (Tc) |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 200 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Power Dissipation (Max) | 2.5W (Tc) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature | -55°C~150°C(TJ) |
| Package | Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel® |
| Package / Case | SOT-23-6 |
| Supplier Device Package | SOT-23-6L |
| Другое | |
| FET Feature | - |
| FET Type | N-Channel |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 16 nC @ 10 V |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 733 pF @ 100 V |
| Mfr | Goford Semiconductor |
| Product Status | Active |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 540mOhm @ 1A, 10V |
| Series | G |
| Technology | MOSFET (Metal Oxide) |
| Vgs (Max) | ±20V |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 3V @ 250µA |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.