VBsemi(微碧半导体)Китай

GA10JT12-247-VB

Single FETs, MOSFETs

漏极源极电压VDS(V)：1200V；电流：30A；导通电阻：80(mΩ)

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Технические параметры этого компонента пока не указаны.

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.