Поиск аналогов электронных компонентов

GSMDD6912

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流11A
VDSS-最大漏源电压60V
Vgs(th)-门槛电压2.5V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗90mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO252
Другое
Ciss-输入等效电容500pF
Qg-栅极电荷9.3nC
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.