Поиск аналогов электронных компонентов

GSMEB2516Q

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流11A
VDSS-最大漏源电压20V
Vgs(th)-门槛电压1.5V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗8.2mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN2X3
Другое
Qg-栅极电荷15nC
Vgs-栅源耐压12V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量16

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.