Поиск аналогов электронных компонентов

GSMF08N60

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流7.5A
VDSS-最大漏源电压600V
Vgs(th)-门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗1200mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO220
Другое
Ciss-输入等效电容920pF
Qg-栅极电荷29nC
Vgs-栅源耐压30V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.