Goford SemiconductorТайвань, Китай
GT300P15M
Transistors - FETs, MOSFETs - Single类型：P沟道@@漏源电压(Vdss)：-150V@@连续漏极电流(Id)：-90A@@阈值电压(Vgs(th))：-4V@@导通电阻(RDS(on)@Vgs：28mΩ@10V @@封装：TO-263
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаP-channel
Напряжение сток-исток150 V
Постоянный ток стока90 A
Сопротивление в открытом состоянии28 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 150V |
| 连续漏极电流(Id) | 90A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 28mΩ@10V |
| 数量 | 1个P沟道 |