Поиск аналогов электронных компонентов
SCHEMATIC
Источник: Даташит, с. 1
onsemiСША

H11AA1

Снят с производстваTransistor, Photovoltaic Output OptoisolatorsDIP-6

OPTOISO 5.3KV TRANS W/BASE 6DIP

H11AA1 — оптопары с AC-входом и фототранзисторным выходом в корпусе DIP-6, диапазон рабочих температур -55...+100°C, защита от обратной полярности, сертификация UL и VDE.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

Число каналов1
Напряжение изоляции5.3 kV
Тип выходаTransistor
Коэффициент передачи тока20 %10mA

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 22
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
Количество каналов1
Тип выходаPhototransistor
КорпусDIP-6 (Through Hole)
Рабочая температура-55 to +100 °C
Температура хранения-55 to +150 °C
Мощность рассеивания всего устройства350 mW (Derate Linearly From 25°C: 4.6 mW/°C)
Непрерывный прямой ток эмиттера100 mA
Пиковый прямой ток±1.0 A (1 μs pulse, 300 pps)
Мощность рассеивания LED200 mW (Derate Linearly From 25°C: 2.6 mW/°C)
Мощность рассеивания детектора300 mW (Derate above 25°C: 4.0 mW/°C)
Прямое напряжение входаTyp 1.2 V, Max 1.5 V (IF = ±10 mA)
Входная емкостьTyp 80 pF (VF = 0 V, f = 1.0 MHz)
Напряжение пробоя коллектор-эмиттерMin 30 V (IC = 1.0 mA, IF = 0)
Напряжение пробоя коллектор-базаMin 70 V (IC = 100 μA, IF = 0)
Напряжение пробоя эмиттер-базаMin 5 V (IE = 100 μA, IF = 0)
Напряжение пробоя эмиттер-коллекторMin 7 V (IE = 100 μA, IF = 0)
Ток утечки коллектор-эмиттерMax 50 nA (VCE = 10 V, IF = 0)
Емкость коллектор-эмиттерTyp 10 pF (VCE = 0, f = 1 MHz)
Емкость коллектор-базаTyp 80 pF (VCE = 0, f = 1 MHz)
Емкость эмиттер-базаTyp 15 pF (VCE = 0, f = 1 MHz)
СертификацияUL recognized (File #E90700), VDE approved (File #E94766)
ЗащитаBuilt-in reverse polarity input protection
Все параметры (22)РазвернутьСвернуть
Питание
Current - DC Forward (If) (Max)100 mA
Current - Output / Channel-
Current Transfer Ratio (Max)-
Current Transfer Ratio (Min)20% @ 10mA
Number of Channels1
Voltage - Forward (Vf) (Typ)1.2V
Voltage - Isolation5300Vrms
Voltage - Output (Max)30V
Характеристики по постоянному и переменному току
Rise / Fall Time (Typ)-
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C ~ 100°C
PackageTube
Package / Case6-DIP (0.300", 7.62mm)
Supplier Device Package6-DIP
Другое
Base Product NumberH11A
Input TypeAC, DC
Mfronsemi
Output TypeTransistor with Base
Product StatusObsolete
Series-
Turn On / Turn Off Time (Typ)-
Vce Saturation (Max)400mV

Распиновка и корпус

SCHEMATIC
SCHEMATIC
Корпус: DIP-6 (Through Hole)
ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1База
2Коллектор
3Эмиттер
4Эмиттер
5Коллектор
6База

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.