Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай
DIODE GEN PURP 200V 3A DO201AD
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 25. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток3 A
Прямое падение напряжения1 VМакс. · 3 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns，> 200mA (Io)
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 3A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 10 µA @ 200 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 200 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1 V @ 3 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~150°C |
| Package | Bulk |
| Package / Case | DO-201AD, Axial |
| Supplier Device Package | DO-201AD |
| Другое | |
| Base Product Number | HER303 |
| Capacitance @ Vr, F | 60pF @ 4V, 1MHz |
| Diode Type | Standard |
| Mfr | Taiwan Semiconductor Corporation |
| Product Status | Active |
| Reverse Recovery Time (trr) | 50 ns |
| Series | - |
| Speed | Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) |