Поиск аналогов электронных компонентов

HPA800R1K4PD-G

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流4A
Id-额定电流4A
VDSS-最大漏源电压800V
Vgs(th)-门槛电压4V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗1450mΩ
Ron-最大导通阻抗1450mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO220
Другое
Ciss-输入电容381pF
Ciss-输入等效电容381pF
Qg-栅极电荷15.3nC
Vdss-漏源耐压800V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量13
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы