HUASHUO(华朔)Китай
HSBB0212E
Transistors - FETs, MOSFETs - Single双N沟道快速开关MOSFET，采用先进沟槽MOS技术，低导通电阻，超低栅极电荷，具备ESD保护
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток100 V
Постоянный ток стока15 A
Сопротивление в открытом состоянии41 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 100V |
| 连续漏极电流(Id) | 15A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 41mΩ@10V |
| 数量 | 2个N沟道 |
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.