Поиск аналогов электронных компонентов
HUASHUO(华朔)Китай

N沟道快速开关MOSFET,具备低栅极电荷和先进沟槽技术

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток30 V
Постоянный ток стока40 A
Сопротивление в открытом состоянии4 mΩМакс. · 10V
Питание
漏源电压(Vdss)30V
连续漏极电流(Id)40A
Другое
导通电阻(RDS(on))4mΩ@10V
数量1个N沟道

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.