Поиск аналогов электронных компонентов

HYG025N04NA1C2

Single FETs, MOSFETs
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 24, из них китайских: 8. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流190A
VDSS-最大漏源电压40V
Vgs(th)-门槛电压4V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗1.8mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1PPAK5*6
Другое
Ciss-输入等效电容5744pF
Pd-功率耗散130W
Qg-栅极电荷122.2nC
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.