Поиск аналогов электронных компонентов

HYG080NH03LA1C1

FET, MOSFET Arrays
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
ID-最大漏极电流24A
Id-额定电流24A
VDSS-最大漏源电压30V
Vgs(th)-门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
RDS(on)-漏源导通阻抗18.5mΩ
Ron-最大导通阻抗18.5mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1DFN3*3
Другое
Ciss-输入电容354pF
Ciss-输入等效电容354pF
Pd-功率耗散17.8W
Pd-最大功率耗散17.8W
Qg-栅极电荷9nC
Vdss-漏源耐压30V
Vgs-栅源耐压20V
内置ESD保护二极管0
内置整流二极管0
引脚数量18
集成ESD保护二极管0
集成整流二极管0

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.