Поиск аналогов электронных компонентов

HYG110C03LR1D4

FET, MOSFET Arrays
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 19, из них китайских: 7. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
N管-ID最大漏极电流25A
N管-Id额定电流25A
N管-Vdss漏源电压30V
N管-Vgsth门槛电压3V
P管-ID最大漏极电流17A
P管-Id额定电流17A
P管-Vdss漏源电压30V
P管-Vgsth门槛电压3V
Характеристики по постоянному и переменному току
N管-Rds最大导通阻抗14mΩ
P管-Rds最大导通阻抗30mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1TO252
Другое
N管-Qg栅极电荷15.9nC
N管-Qg栅极电荷typ15.9nC
N管-Vgs最大值20V
Pd-功率耗散21mW
Pd最大耗散功率21mW
P管-Qg栅极电荷20.2nC
P管-Qg栅极电荷typ20.2nC
P管-Vgs最大值20V
引脚数量15

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.