Поиск аналогов электронных компонентов

HYG190C04LA1C2

FET, MOSFET Arrays
Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 3, из них китайских: 2. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Питание
N管-ID最大漏极电流22.2A
N管-Id额定电流22.2A
N管-Vdss漏源电压40V
P管-Vdss漏源电压40V
Характеристики по постоянному и переменному току
N管-Rds最大导通阻抗21.8mΩ
P管-Rds最大导通阻抗54.1mΩ
Условия эксплуатации и корпус
封装类型1PDFN5X6
Другое
N管-Qg栅极电荷13.6nC
N管-Qg栅极电荷typ13.6nC
N管-Vgs最大值20V
Pd-功率耗散21.4mW
Pd最大耗散功率21.4mW
P管-Qg栅极电荷NnC
P管-Qg栅极电荷typNnC
引脚数量18

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.