Infineon TechnologiesГермания
DIODE SIL CARB 650V 4A TO263-2
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток4 A
Прямое падение напряжения1.8 VМакс. · 4 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 4A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 670 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.8 V @ 4 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | -55°C~175°C |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | PG-TO263-2 |
| Другое | |
| Base Product Number | IDK04G65 |
| Capacitance @ Vr, F | 130pF @ 1V, 1MHz |
| Diode Type | Silicon Carbide Schottky |
| Mfr | Infineon Technologies |
| Product Status | Discontinued at Digi-Key |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | CoolSiC™+ |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |