IRLML2502TRPBF

ПроизводитсяTransistors - FETs, MOSFETs - SingleMicro3™/SOT-23

MOSFET N-CH 20V 4.2A SOT23

Все аналоги

В базе аналогов: 12, из них китайских: 1. Войдите, чтобы посмотреть.

Тип каналаN-channel

Напряжение сток-исток20 V

Постоянный ток стока4.2 A

Сопротивление в открытом состоянии45 mΩМакс. · 4.2A

Пороговое напряжение1.2 VМакс. · 250μA

Питание
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	4.2A (Ta)
Drain to Source Voltage (Vdss)	20 V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	2.5V, 4.5V
Power Dissipation (Max)	1.25W (Ta)
Условия эксплуатации и корпус
Mounting Type	Surface Mount
Operating Temperature	-55°C~150°C(TJ)
Package	Tape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / Case	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device Package	Micro3™/SOT-23
Другое
Base Product Number	IRLML2502
FET Feature	-
FET Type	N-Channel
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	12 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	740 pF @ 15 V
Mfr	Infineon Technologies
Product Status	Active
Rds On (Max) @ Id, Vgs	45mOhm @ 4.2A, 4.5V
Series	HEXFET®
Technology	MOSFET (Metal Oxide)
Vgs (Max)	±12V
Vgs(th) (Max) @ Id	1.2V @ 250µA