Поиск аналогов электронных компонентов
J112-D27Z

J112-D27Z

ПроизводитсяTransistors - JFETs

SMALL SIGNAL FIELD-EFFECT TRANSI

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
Current - Drain (Idss) @ Vds (Vgs=0)5 mA @ 15 V
Power - Max625 mW
Voltage - Breakdown (V(BR)GSS)35 V
Voltage - Cutoff (VGS off) @ Id1 V @ 1 µA
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeThrough Hole
Operating Temperature-55°C~150°C(TJ)
PackageBulk
Package / CaseTO-226-3, TO-92-3 (TO-226AA) Formed Leads
Supplier Device PackageTO-92-3
Другое
FET TypeN-Channel
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds-
MfrFairchild Semiconductor
Product StatusActive
Resistance - RDS(On)50 Ohms
Series-

Изображения

Документы