Analog Devices Inc.США

J309 TO-92 3L ROHS

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Питание
栅源击穿电压(V(BR)GSS)	25V
栅源截止电压(VGS(off))	1V@1nA
Другое
FET类型	1个N沟道
耗散功率(Pd)	350mW

Документы

DatasheetDatasheet · 410.7 KB · 2026-09-21 DatasheetDatasheet · 207.1 KB · 2026-09-21 DatasheetDatasheet · 152.3 KB · 2026-09-21

Центр документации