GME(银河微电)Китай
-30V,-0.5A,General Purpose PNP Bipolar Transistor
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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 基极电流 IB (mA) | -10 |
| 电流放大倍数 hFE max | 400 |
| 电流放大倍数 hFE min | 200 |
| 集电极-发射极击穿电压 VCEO (V) | -30 |
| 集电极电流 IC (A) | -0.5 |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| 特征频率 fT min (MHz) | 200(typ) |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| REACH 合规 | YES |
| RoHS 合规 | YES |
| 封装 Package | SOT-23 |
| Другое | |
| AEC-Q 车规认证 | NO |
| 出口管制编码 ECCN | EAR99 |
| 无卤 Halide-free | YES |
| 无铅 Pb-free | YES |
| 最低结温 Tj min (℃) | -55 |
| 最大耗散功率 PD (mW) | 0.15 |
| 最高结温 Tj max (℃) | 150 |
| 极性 Polarity | PNP |
| 生命周期 Marketing Status | Active |
| 饱和压降 VCE(sat) (V) | -0.25 |