LSK189 TO-92 3L ROHS
JFETs低噪声、低电容单N沟道JFET。超低噪声（en = 1.8 nV/√Hz），低输入电容（Ciss = 4 pF）。
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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.5V@1nA |
| Другое | |
| FET类型 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |
低噪声、低电容单N沟道JFET。超低噪声（en = 1.8 nV/√Hz），低输入电容（Ciss = 4 pF）。
| Питание | |
|---|---|
| 栅源击穿电压(Vgss) | 60V |
| 栅源截止电压(VGS(off)) | 1.5V@1nA |
| Другое | |
| FET类型 | 1个N沟道 |
| 耗散功率(Pd) | 300mW |