Поиск аналогов электронных компонентов
TDFN
Источник: Даташит, с. 11

MAX13433EETD

Drivers, Receivers, Transceivers14 TDFN-EP

IC TRANSCEIVER RS-485 FULL 1/1 14TDFN

MAX13433EETD — полнодуплексный RS-485 трансивер с скоростью передачи данных 16 Мбит/с, напряжением питания 3–5,5 В, корпусом TDFN на 14 выводов, интерфейсом с низким напряжением и защитой от перегрева.Проверено по даташиту

Подобрать аналогСпросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

В базе аналогов: 4. Войдите, чтобы посмотреть.

Технические параметры

Основные параметры

ПротоколRS-485
Число передатчиков / приёмников1
Скорость передачи данных16 MbpsМакс.
Напряжение питания3 ~ 5.5 V

Параметры, сверенные с даташитом

Пунктов: 22
ПараметрЗначение и условия измеренияИсточник
ПротоколRS-485
Количество драйверов / приемников1 Driver, 1 Receiver
Скорость передачи данных16 Mbps
Напряжение питанияVCC: Min 3V, Max 5.5V; VL: Min 1.62V, Max VCC
Корпус14 TDFN-EP (3mm x 3mm)
Рабочая температура-40°C to +85°C
КлассCommercial (Extended)
RoHSCompliant (Lead(Pb)-free)
Рекомендуемые условия эксплуатацииVCC = +3V to +5.5V, VL = +1.62V to VCC, TA = -40°C to +85°C
Абсолютные максимальные значенияSupply Voltage (VCC): -0.3V to +6V
Ток питанияMax 2 mA (DE = RE = high, no load)
Ток питания в режиме отключенияMax 10 μA (DE = low, RE = high, no load)
Ток питания VLMax 1 μA (RO = no load)
Дифференциальное выходное напряжение драйвераMin 2.25V (RL = 100Ω, VCC = +4.5V)
Ток короткого замыкания выхода драйвераMin +250 mA (0 ≤ VOUT ≤ +12V)
Порог термического отключенияTyp +150°C
Дифференциальное пороговое напряжение приемникаMin -200 mV, Max -50 mV (-7V ≤ VCM ≤ +12V)
Входное сопротивление приемникаMin 96 kΩ (-7V ≤ VCM ≤ +12V)
Защита от ЭСР (модель человека)±30 kV (A, B, Y, Z to GND)
Защита от ЭСР (IEC 61000-4-2 воздушный зазор)±15 kV (A, B, Y, Z to GND)
Количество трансиверов на шине256
Полнодуплекс/ПолудуплексFull

Распиновка и корпус

TDFN
TDFN
Корпус: 14 TDFN-EP (3mm x 3mm)
ВыводНазваниеНазначениеИсточник
1VL: Входное напряжение логического питания. Шунтировать VL керамическим конденсатором 0,1 мкФ, расположенным как можно ближе к выводу.
2RO: Выход приемника. Когда RE низкий и (A - B) ≥ -50 мВ, RO высокий; если (A - B) ≤ -200 мВ, RO низкий.
3DE: Включение вывода драйвера. Установите DE в высокий уровень для включения выходов драйвера. Эти выходы имеют высокое сопротивление, когда DE низкий. Установите RE в высокий уровень и DE в низкий для входа в режим отключения с низким энергопотреблением. DE является входом горячей замены.
4RE: Включение вывода приемника (активный низкий уровень). Установите RE в низкий уровень для включения RO; RO имеет высокое сопротивление, когда RE высокий. Установите RE в высокий уровень и DE в низкий для входа в режим отключения с низким энергопотреблением. RE является входом горячей замены.
5DI: Вход драйвера. При высоком DE низкий уровень на DI принудительно устанавливает неинвертирующий выход в низкий, а инвертирующий в высокий. Аналогично, высокий уровень на DI принудительно устанавливает неинвертирующий выход в высокий, а инвертирующий в низкий.
6GND: Земля
7N.C.: Нет соединения. Не соединен внутренне. N.C. можно соединить с GND.
8GND: Земля
9Y: Неинвертирующий выход драйвера
10Z: Инвертирующий выход драйвера
11B: Инвертирующий вход приемника
12A: Неинвертирующий вход приемника
13N.C.: Нет соединения. Не соединен внутренне. N.C. можно соединить с GND.
14VCC: Входное напряжение питания. Шунтировать VCC керамическим конденсатором 1 мкФ, расположенным как можно ближе к входу для полной защиты от ЭСР.
EPEP: Открытая площадка (только TDFN). Подключите EP к GND.

Изображения

Документы

Данные, сверенные с даташитом, извлечены AI из документации производителя. Нажмите на номер страницы, чтобы открыть оригинал.