HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该肖特基二极管为独立式配置，具有2A的额定正向电流和200V的最大反向电压。其正向压降为0.95V，在导通时能量损耗较低；反向漏电流为300μA，表现出良好的反向阻断能力。器件可承受高达40A的非重复峰值正向浪涌电流，适用于开关电源、高频整流、续流保护及各类对效率和响应速度有要求的电子电路中。