JSMSEMI(杰盛微)Китай
MI4606-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single采用先进的沟槽技术和设计，在低栅极电荷下提供优异的Rps(on)，可应用于多种应用领域。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN + P
Напряжение сток-исток40 V
Постоянный ток стока8 A
Сопротивление в открытом состоянии35 mΩМакс. · 10V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 40V |
| 连续漏极电流(Id) | 8A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 35mΩ@10V,7.0A |
| 数量 | 1个N沟道+1个P沟道 |
Документы
DatasheetDatasheet · 35.2 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 3.5 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации