HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай
本款NPN型三极管具有3A的集电极电流(IC)和100V的集电极-发射极电压(VCEO),适用于中等功率放大与开关场景。其直流电流增益(HFE)范围为100至200,具备良好的信号放大线性度与稳定性。器件在高频响应与导通损耗之间实现了均衡优化,适合用于电源管理模块、消费类电子设备中的继电器驱动、LED调光电路以及各类中等负载的开关控制应用,支持多种常见的封装形式,便于在紧凑型电路设计中实现高效布局。
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Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора3 AМакс.
Мощность1 WМакс.
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 100V |
| 集电极电流(Ic) | 3A |
| Другое | |
| 晶体管类型 | NPN |
| 耗散功率(Pd) | 1W |