Поиск аналогов электронных компонентов
MJD41CT4G
onsemiСША

MJD41CT4G

ПроизводитсяTransistors - Bipolar (BJT) - SingleTO-252-3

TRANS NPN 100V 6A DPAK

Спросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипNPN
Напряжение коллектор-эмиттер100 V
Ток коллектора6 AМакс.
Коэффициент усиления hFE153A
Мощность1.75 WМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)50µA
Current - Collector (Ic) (Max)6 A
Power - Max1.75 W
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)100 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce15 @ 3A, 4V
Frequency - Transition3MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-65°C~150°C(TJ)
PackageTape & Reel (TR); Cut Tape (CT); Digi-Reel®
Package / CaseTO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Supplier Device PackageDPAK
Другое
Base Product NumberMJD41
Mfronsemi
Product StatusActive
Series-
Transistor TypeNPN
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic1.5V @ 600mA, 6A

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.