JSMSEMI(杰盛微)Китай
MLD1N06CLT4G-JSM
Transistors - FETs, MOSFETs - Single广泛应用于电池管理系统、电源转换及各类高效能电子设备中，实现卓越的功率控制与能效管理。
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Основные параметры
Тип каналаN-channel
Напряжение сток-исток60 V
Постоянный ток стока20 A
Сопротивление в открытом состоянии45 mΩМакс. · 4.5V
| Питание | |
|---|---|
| 漏源电压(Vdss) | 60V |
| 连续漏极电流(Id) | 20A |
| Другое | |
| 导通电阻(RDS(on)) | 45mΩ@4.5V,5A |
| 数量 | 1个N沟道 |
Документы
DatasheetDatasheet · 2.5 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 2.0 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 1.6 MB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 622.4 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 413.5 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 371.1 KB · 2026-09-21DatasheetDatasheet · 225.2 KB · 2026-09-21
Центр документации