Поиск аналогов электронных компонентов
MMBT3906
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

MMBT3906

ПроизводитсяSingle Bipolar TransistorsSOT-23

SOT-23, -40V, -0.2A, PNP BIPOLAR

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

ТипPNP
Напряжение коллектор-эмиттер40 V
Ток коллектора200 mAМакс.
Коэффициент усиления hFE10010mA
Мощность350 mWМакс.
Питание
Current - Collector Cutoff (Max)100nA (ICBO)
Current - Collector (Ic) (Max)200 mA
Power - Max350 mW
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)40 V
Характеристики по постоянному и переменному току
DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce100 @ 10mA, 1V
Frequency - Transition250MHz
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature-55°C ~ 150°C (TJ)
PackageTape & Reel (TR)
Package / CaseTO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Supplier Device PackageSOT-23
Другое
Base Product NumberMMBT3906
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Series-
Transistor TypePNP
Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic400mV @ 5mA, 50mA

Изображения

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.