HUXN(慧芯)Китай
MMDTA114YE
Single, Pre-Biased Bipolar Transistors晶体管类型：PNP，集电极电流：100mA，集射极击穿电压：50V，耗散功率：150mW，适用于线性及开关应用。
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Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Другое | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |
晶体管类型：PNP，集电极电流：100mA，集射极击穿电压：50V，耗散功率：150mW，适用于线性及开关应用。
| Питание | |
|---|---|
| 集射极击穿电压(Vceo) | 50V |
| 集电极电流(Ic) | 100mA |
| Другое | |
| 数量 | 1个PNP-预偏置 |
| 耗散功率(Pd) | 150mW |