Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Power - Max | 350mW |
| Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) | 25V |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce | 60 @ 4mA, 10V |
| Frequency - Transition | 650MHz |
| Gain | - |
| Noise Figure (dB Typ @ f) | - |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Through Hole |
| Operating Temperature | -65°C ~ 150°C (TJ) |
| Другое | |
| Manufacturer | NTE Electronics, Inc |
| Packaging | Bag |
| Part Status | Active |
| Series | - |
| Transistor Type | NPN |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.