RF Power MOSFET Transistor 150 W, 50 V, 175 MHz N-Channel Broadband MOSFET
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Питание | |
|---|---|
| Bias Voltage(V) | 50.0 |
| Характеристики по постоянному и переменному току | |
| Gain(dB) | 13.00 |
| Max Frequency(MHz) | 175 |
| Min Frequency(MHz) | 2 |
| Другое | |
| Efficiency(%) | 40 |
| Pout(W) | 150.00 |
| Type | TMOS |
Документы
DatasheetDatasheet · 773.9 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 510.0 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 259.4 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 140.8 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 89.2 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 35.9 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 29.2 KB · 2026-09-23
Центр документации