Поиск аналогов электронных компонентов
MUR120S
Taiwan Semiconductor CorporationТайвань, Китай

MUR120S

ПроизводитсяSingle Diodes

DIODE GEN PURP 200V 1A DO214AA

Спросить AI FAEДаташит PDF

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Обратное напряжение200 V
Средний выпрямленный ток1 A
Прямое падение напряжения875 mVМакс. · 1 A
ТипStandardFast Recovery =< 500ns,> 200mA (Io)
Питание
Current - Average Rectified (Io)1A
Current - Reverse Leakage @ Vr50 µA @ 200 V
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max)200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If875 mV @ 1 A
Условия эксплуатации и корпус
Mounting TypeSurface Mount
Operating Temperature - Junction-55°C ~ 175°C
PackageTape & Reel (TR) Cut Tape (CT) Digi-Reel®
Package / CaseDO-214AA, SMB
Supplier Device PackageDO-214AA (SMB)
Другое
Base Product NumberMUR120
Capacitance @ Vr, F-
MfrTaiwan Semiconductor Corporation
Product StatusActive
Reverse Recovery Time (trr)25 ns
Series-
SpeedFast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
TechnologyStandard

Изображения

Документы