HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

【联系：sales@hxymos.com】该快恢复/高效率二极管采用独立式配置，额定正向电流IF为15A，最大反向重复峰值电压VR达600V。其正向压降VF典型值为1.5V，在关断状态下反向漏电流IR仅为10μA，表现出优异的能效特性。器件可承受高达150A的非重复浪涌正向电流（IFSM），适用于对开关速度和导通损耗有较高要求的电源转换及高频整流场合，能够在保障系统稳定运行的同时提升整体电能转换效率。