HXY MOSFET(华轩阳电子)Китай

该碳化硅二极管采用独立式配置，额定正向电流为8A，最大反向重复电压为650V，典型正向压降低至1.38V，具备优异的导通效率。器件可承受高达88A的非重复峰值正向浪涌电流，展现出良好的瞬态耐受能力。基于碳化硅材料的特性，其开关速度快、反向恢复电荷极小，适用于高频电源转换、高效率整流以及对热管理要求严苛的电力电子应用场合。