WeEn SemiconductorsНидерланды
DIODE SIL CARBIDE 650V 8A D2PAK
Все аналоги
Полный отчётВ базе аналогов: 1. Войдите, чтобы посмотреть.
Технические параметры
Основные параметры
Обратное напряжение650 V
Средний выпрямленный ток8 A
Прямое падение напряжения1.7 VМакс. · 8 A
ТипSchottky
| Питание | |
|---|---|
| Current - Average Rectified (Io) | 8A |
| Current - Reverse Leakage @ Vr | 230 µA @ 650 V |
| Voltage - DC Reverse (Vr) (Max) | 650 V |
| Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If | 1.7 V @ 8 A |
| Условия эксплуатации и корпус | |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Operating Temperature - Junction | 175°C (Max) |
| Package | Tape & Reel (TR) |
| Package / Case | TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Supplier Device Package | D2PAK |
| Другое | |
| Base Product Number | NXPSC |
| Capacitance @ Vr, F | 260pF @ 1V, 1MHz |
| Mfr | WeEn Semiconductors |
| Product Status | Obsolete |
| Reverse Recovery Time (trr) | 0 ns |
| Series | - |
| Speed | No Recovery Time > 500mA (Io) |
| Technology | SiC (Silicon Carbide) Schottky |
Изображения
Документы
К этому компоненту пока не привязаны документы.