orisilicon(矽源)Китай
浪涌抑制型,650V 7A N-MOS Rdson≤1.3Ω@Vgs=10v
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
Технические параметры этого компонента пока не указаны.
浪涌抑制型,650V 7A N-MOS Rdson≤1.3Ω@Vgs=10v
Технические параметры этого компонента пока не указаны.