BORN(伯恩半导体)Китай
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Полный отчётТехнические параметры
| Ipp @10/1000us （A） | 1.7 |
| IR (µA) | 1 |
| IT （mA） | 1 |
| PartNumber （Bi） | P4KE180cA |
| Part Number （Uni） | P4KE180A |
| PPP @10/1000us (W) | 400 |
| VBR @IT Max.(V) | 189 |
| VBR @IT Min.(V) | 171 |
| VC@Ipp （V） | 246 |
| VRWM (V) | 154 |