Поиск аналогов электронных компонентов

由砷化镓红外发光二极管和硅NPN光电晶体管探测器组成的光耦合器,采用4引脚DIP封装,适用于表面贴装

Подобрать аналогСпросить AI FAE

Все аналоги

Полный отчёт

Технические параметры

Основные параметры

Напряжение изоляции5 kV
Тип выходаTransistor
Питание
输出电流50mA
隔离电压(Vrms)5kV
Другое
正向压降(Vf)1.2V
输出类型光电三极管

Документы

К этому компоненту пока не привязаны документы.