R1275NC18M | Distributed Gate Capsule Type Series Fast Thyristors
Все аналоги
Полный отчётТехнические параметры
| Условия эксплуатации и корпус | |
|---|---|
| Package Type | W11 |
| Другое | |
| I 2 t [Thy] (A 2 s) | 1.20 x 10⁶ |
| I TAV @ Tk=55 °C (A) | 1275 |
| I TSM 10ms Half Sine Wave (A) | 15500 |
| Q rr (µC) | 940 |
| r S (mΩ) | 0.342 |
| R thJK 180 °C Sine Wave (K/W) | 0.024 |
| T q (µs) | 70 |
| V 0 (V) | 1.207 |
| V DRM (V) | 1800 |
| V RRM (V) | 1800 |
Изображения
Документы
DatasheetDatasheet · 1.1 MB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 2.2 MB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 1.2 MB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 501.9 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 299.9 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 250.1 KB · 2026-09-23Application NoteApplication Note · 169.5 KB · 2026-09-23
Центр документации